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LDMOS
上一篇 / 下一篇 2008-11-19 20:52:50 / 个人分类：技术专区
LDMOS 工艺技术
%W1S~1N |,|Q h0飞利浦半导体为目前市场中能够大批量生产高效能 LDMOS 产品的领导制造商之一。LDMOS 初期主要面向移动电话基站的 RF 功率放大器，也可以应用于 HF、VHF 与 UHF 广播传输器以及微波雷达与导航系统等等。凌驾于所有 RF 功率技术，侧面扩散 MOS (LDMOS, Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) 晶体管技术为新一代基站放大器带来较高的功率峰均比 (PAR, Peak-to-Aerage)、更高增益与线性度，同时为多媒体服务带来更高的数据传输率。此外，卓越的效能也随着效率以及功率密度持续不断地提升。过去四年来，飞利浦第二代 0.8 微米 LDMOS 技术在 GSM、EDGE 与 CDMA 系统上拥有耀眼的效能与稳定的批量生产能力，现阶段为了满足多载波功率放大器 (MCPA) 与 W-CDMA 标准的需求，还提供了更新的 LDMOS 技术。
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飞利浦第三代 0.8 微米超低失真 LDMOS 技术采用非统一参杂 (doping) 方式，称之为分散 Vt 概念，与传统的 LDMOS 比较，补偿线性提升了 5 到 8dB，使得这项技术特别适合应用于 3G 基站内的 MCPA 驱动器，同时比上一代 LDMOS 产品的功率增益要高 2 dB。
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飞利浦第四代 LDMOS 技术将效能进一步提升，这种新型的 0.6 微米工艺提升了 50% 的功率密度以及 6 到 8 % 的 W-CDMA 效率，功率增益则也比先前的 0.8 微米技术提高了 2 dB。
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飞利浦的第五代 LDMOS 技术将效能提升到全新的境界，它为 W-CDMA 放大器效率奠定了新标准，同时提供所有移动电话标准的主要优势，例如 0.4 微米工艺技术为 W-CDMA 带来超过 30% 的效率，并为 PCS/DCS 带来 17dB 的增益，此外，低记忆效应也可以使用最新的数字预失真 (DPD, Pre-Distortion) 系统，高线性度则可以改善多载波功率放大器。我们的第五代技术同时也将热阻抗由第四代的 0.76 降低到 0.5 K/W，这将可以提升可靠度、缩小基站的尺寸并节省功率与冷却成本，第五代的 LDMOS 比第四代高了 20% 的功率密度，让我们能够推出在单端式封装上达 150W CW 运作的器件。
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我们的第五代 LDMOS 采用专利的四层金属堆栈来进一步提升可靠度与平均无故障时间 (MTTF)，而宽厚的 AlCu 金属化方式也比传统的 LDMOS 在相同 MTTF 下高了 25°C 的接点温度运作，如果使用于 160°C 的标准晶体管接点温度上，这项技术比传统 W-CDMA 运作应用的 LDMOS 可靠度高上四倍，MTTF 将超过 1000 年。 EDA中国门户网站xy5F5j {k.m
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我们的 0.14 微米工艺能力可将技术更进一步优化，将 LDMOS 效能带到 LDMOS 效率的理论极限，在此之后，新的器件架构将着重于如何让 LDMOS 为新型态晶体管运作优化，并强化如 Doherty 等概念。 EDA中国门户网站:X:{ };e S
a.z-y%Z`:Y Z^Pb0LDMOS 的优势
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卓越的效率，可降低功率消耗与冷却成本
3`&| B W7W2z!B0卓越的线性度，可将信号预校正需求降到最低 EDA中国门户网站$K To.f2j d
优化超低热阻抗，可缩减放大器尺寸与冷却需求并改善可靠度 EDA中国门户网站)Z jO7u6o}2|
卓越的尖峰功率能力，可带来最少数据错误率的高 3G 数据率
^A&W#Iqo(v0高功率密度，使用较少的晶体管封装 EDA中国门户网站 `3y7q7kzC-f5G(h
超低感抗、回授电容与串流闸阻抗，目前可让 LDMOS 晶体管在双载子器件上提供 7 bB 的增益改善
.cI1xGM y4~(h qQ(Z0直接源极接地，提升功率增益并免除 BeO 或 AIN 隔离物质的需求
M'];r6~U/R Z]0在 GHz 频率下拥有高功率增益，带来更少设计步骤、更简易更具成本效益的设计 (采用低成本、低功率驱动晶体管)
X W9G.HYe g0运作面 EDA中国门户网站8p!tq5v \:h9a;YX D3~
$b7| Q7u h2N*x3K xp0绝佳的稳定性，由于负汲极电流温度常数，所以不受热散失的影响 EDA中国门户网站Z m-hnP_ fg c(P
比双载子更能忍受较高的负载未匹配现象 (VSWR)，提高现场实际应用的可靠度 EDA中国门户网站j!K%u5a:@[R&A*d
卓越的射频稳定度，在闸极与汲极间内置隔离层，可以降低回授电容 EDA中国门户网站1Tv6xtL%mRJ!M
在平均无故障时间 (MTTF) 上有相当好的可靠度 EDA中国门户网站)GR-Bo-mf
飞利浦的附加价值 EDA中国门户网站1^ f aj6\V5U%B,Q~2AU
飞利浦的基站产品采用领先全球的创新与生产专业能力，提供其他供应商难以匹敌的技术组合：
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LDMOS 发展蓝图采用 0.14 微米生产技术 (MMIC 也一样) EDA中国门户网站+M2rr#]5~#Z8N LM
高效能 LDMOS 晶体管以标准或 LORTH 陶瓷、air-cavity 与过模塑胶封装 EDA中国门户网站?]0hu X
MMIC 采塑胶封装
UA rf K0Chip-on-carrier 集成 (FlexBase™) EDA中国门户网站4?s/K0c2rVo
丰富的 Doherty IP 以及晶体管与电路设计上的专业经验 EDA中国门户网站]cn(j#Yy7C9z
宽能隙 (wide-bandgap) 材料的发展规划
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