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MOS管的记录说明(1)
上一篇 / 下一篇 2008-02-15 23:14:45 / 个人分类：学习日记
导通的原理(以N沟道MosFET为例)是:源极和漏极(基底)都是N参杂区(多电子,多子-电子),中间隔着P参杂区,像两个背靠背的二极管(注意源极有一部分直接接触P区,相当于一个二极管-寄生二极管),通常不能导通.但当门极有正电压,在p区靠近门极的地方感应出电子,建立多子(电子)沟道,导通.
mosfet 优点:高输入电阻,电压驱动;多子导通,不相BJT需要建立和符和少子,所以开关快;宽的安全工作区;导通电组正温度系数,易于并联.
缺点:高耐压的损耗不如BJT. (但随着SiC的MOSFET出现,这个观点也应该改了.)
Cgs=Co+(Cn+)+Cp
turn on 过程:
mosfet 优点:高输入电阻,电压驱动;多子导通,不相BJT需要建立和符和少子,所以开关快;宽的安全工作区;导通电组正温度系数,易于并联.
缺点:高耐压的损耗不如BJT. (但随着SiC的MOSFET出现,这个观点也应该改了.)
Cgs=Co+(Cn+)+Cp
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- 建立时间: 2006-07-04
- 更新时间: 2008-09-11
