光敏二极管的主要特性参数

②暗电流ID:是指光敏二极管在无光照及最高反向工作电压条件下的漏电流。暗电流越小，光敏二极管的性能越稳定，检测弱光的能力越强。

③光电流IL:是指光敏二极管在受到一定光照时，在最高反向工作电压下产生的电流。其测量的一般条件是:2856K钨丝光源，照度为10001x。

④光电灵敏度Sn:它是反映光敏二极管对光敏感程度的一个参数，用在每微瓦的入射光能量下所产生的光电流来表示，单位为μA/μW。

⑤响应时间Tζ:光敏二极管将光信号转化为电信号所需要的时间。响应时司越短，说明光敏二极管的工作频率越高。               

⑥正向压降VF:是指光敏二极管中通过一定的正向电流时，它两端产生的压降。