求助！这段代码能不能实现对DDR2的变址存储？？

write: begin
      app_af_addr<=31'b00000 00000 00000 00000 00000 00000 0;//设定刚开始的初始存储地址
      app_wdf_wren<=1'b1;                    //数据端口写使能
  always @(count)      //     count为一计数器，处理PCIE传来的数据的时候，每变化一次执行
    begin
        if(count!=21'b101011101011//当没有处理完一帧的时候
            begin
          app_af_wren<=1'b1;//地址线写使能
         app_wdf_data<={com1,cnt1};//写入的数据信号
         app_af_addr<=app_af_addr+30*16;//将地址下移到30个16bit
       end
    end
    想实现对FPGA实验板上DDR的跳址存储，因为存储的数据为十六位的，我想在下一个写使能脉冲来临的时候，下调30*16，后再接着存储，DDR2控制器是已经生成好的，不知道这段程序怎么样？？本人菜鸟，恳请各位老大赐教。