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深亚微米集成电路
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下一篇 2007-10-01 13:01:07
/ 个人分类:技术专区
通常把0.8-0.35μm称为亚微米,0.25μm及其以下称为深亚微米,0.05μm及其以下称为纳米级。深亚微米制造的关键技术主要包括紫外光刻技术、等离子体刻蚀技术、离子注入技术、同互连技术等。目前,国际上集成电路的主流生产工艺技术为0.18-0.25μm,部分工艺已达到0.09μm和0.65μm,2012年之前将达到0.05μm,进入纳米级。
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